منبع تولید امواج الکترومغناطیسی، تغییرات سریع میدانهای الکتریکی یا مغناطیسی است. منابع مهم تولید تداخل امواج الکترومغناطیسی، موتورهای الکتریکی (خصوصاً موتورهای با جاروبک و همچنین تکفاز)، رله ها و کلیدهایی که با سرعت زیاد جریان الکتریکی را قطع و وصل می کنند، می باشند. منابع تغذیه سوئیچینگ نیز بدلیل عملکرد کلیدزنی آنها، یکی از منابع مهم بوجود آورنده تداخل امواج الکترومغناطیسی محسوب می شوند. در این منابع تغذیه سوئیچینگ، امواج الکترومغناطیسی بر اثر کلیدزنی سریع ترانزیستور و قطع و وصل سریع جریان ایجاد می شود. همچنین تلفات کلید زنی در زمان روشن کردن و یا خاموش کردن ترانزیستور ها نیز یکی از دلایل ایجاد امواج الکترومغناطیسی است، که در هوا منتشر شده و از آنجایی که دارای هارمونیک های با فرکانس بالایی هستند، بعنوان امواج الکترومغناطیسی مخرب عمل می کنند و روی سیستمهای مخابراتی اثرات نامطلوب می گذارند.
به همین دلیل منابع تغذیه سوئیچینگ را می بایست توسط جعبه های فلزی پوشاند تا از انتشار امواج الکترومغناطیسی در محیط، توسط منابع تغذیه سوئیچینگ جلوگیری شود. به عنوان نمونه می توان به منابع تغذیه سوئیچینگ در کامپیوترهای شخصی اشاره کرد که در یک جعبه فلزی از آن محافظت می شود، تا بتوان تا حد ممکن از تداخل الکترومغناطیسی توسط منبع تغذیه سوئیچینگ جلوگیری نمود. همچنین در طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ تا حد ممکن باید دقت شود که با بکار گرفتن روش های مناسب، امواج الکترومغناطیسی را که در فضای اطراف منتشر می شود کاهش داد.
برای درک چگونگی ایجاد تداخل امواج الکترومغناطیسی به یک مثال ساده اشاره می کنم. در مداری متشکل از یک منبع dc، یک کلید و یک مقاومت که بطور سری با هم بسته شده باشند، با باز بودن کلید فقط یک میدان ثابت الکتریکی بین سیم رفت و سیم برگشت ایجاد می شود. با بستن کلید علاوه بر میدان الکتریکی بین دو سیم، یک میدان حلقوی مغناطیسی ناشی از عبور جریان از درون سیم نیز بوجود می آید.

حال اگر عمل قطع و وصل کلید با سرعت زیاد انجام شود یک موج الکترومغناطیسی که متغیر با زمان نیز می باشد ایجاد می شود و می تواند براحتی در فضای اطراف سیمها منتشر شود. هر چه سرعت کلیدزنی بیشتر باشد، امواج الکترومغناطیسی تولیدی دارای فرکانس بیشتری می شود و براحتی و با انرژی کمتری می تواند در شعاع بیشتری در فضا انتشار یابد. در یک مدار ساده منبع تغذیه سوئیچینگ نیز با قطع و وصل جریان، یک مولد امواج الکترومغناطیسی است. در بین پیوند کلکتور- امیتر ترانزیستور، بر اثر قطع و وصل شدن با سرعت زیاد، میزان خیلی زیاد dv/dt وجود دارد که ناشی از شیب خط منحنی ولتاژ در زمان قطع و وصل است. و نیز در خازن di/dt زیادی وجود دارد که آن هم ناشی از شیب خط منحنی جریان در زمان قطع و وصل است. که این مقادیر بالای dv/dt و di/dt می توانند یک موج الکترومغناطیسی شدید را با توان بالا تولید کند.
منبع ایجاد نویز دیگر در منابع تغذیه سوئیچینگ، سیستم یکسوسازی آن می باشد. از آنجایی که یکسوسازها موج ورودی را بصورت گسسته قطع و وصل می کنند، دارای مقدار di/dt زیادی می باشند.
امواج الکترومغناطیسی می توانند توسط هدایت کننده های الکتریکی در فضا منتشر می شوند. کوپلاژهای الکتریکی که توسط خازن، سلف و یا ترانسفورماتور ایجاد می شوند نیز می توانند از طریق فاصله هوایی، امواج الکترومغناطیسی را در فضای اطراف منتشر کنند.
امواج الکترومغناطیسی که در فضا منتشر می شوند عبارتند از:
-۱. نویز منتشر شده از اتصال خروجی سیستم ایزولاسیون به بار.
-۲. نویز منتشر شده از اتصال ورودی قدرت به سیستم ایزولاسیون.
-۳ امواج الکترومغناطیسی منتشر شده از فاصله هوایی در فضا.
-۴. ایزولاسیون منبع قدرت اولیه و بار باعث می شود نویز ورودی به خروجی انتقال یابد و بالعکس.
در مسأله تداخل امواج الکترومغناطیسی هر سیستم الکترونیکی یکی از نقش هایی از لحاظ تولید، انتقال و دریافت آن را ایفا می کند که عبارتند از:
-۱. یک سیستم الکترونیکی منبع ایجاد تداخل امواج الکترومغناطیسی است.
-۲ یک سیستم الکترونیکی به عنوان کانال انتقال دهنده امواج الکترومغناطیسی عمل می کند.
-۳ یک سیستم الکترونیکی گیرنده و تأثیر پذیر از امواج الکترومغناطیسی است.
با توجه به اینکه یک سیستم الکترونیکی کدام یک از نقشهای فوق را درمسأله تداخل امواج الکترومغناطیسی دارا می باشد، می توان چاره ای برای برطرف کردن این مسأله پیدا نمود و تداخل امواج الکترومغناطیسی که پدیده نامطلوبی است را تا حد ممکن کاهش داده و حتی آن را از بین برد. برای کاهش دادن میزان نویز الکترومغناطیسی، سه مرحله را می بایست انجام داد. اوّلاً در صورتی که امکان داشته باشد و به ماهیت مدار الکتریکی و عملکرد آن آسیبی نرسد، با کاهش دادن مقدارdv/dt وdi/dt، میزان نویز راتا حد امکان کم کنیم. همچنین باید توجه داشت که در طراحی اولیه حتی الامکان میدانهای مغناطیسی و الکتریکی کاهش داده شوند. دوّما هدایت نویز در طول مسیر مدارات بایست فیلتر شود و نیز در آخر جهت جلوگیری از تشعشع نویز توسط یک پرده محافظ (شیلد) روی سیستم را بپوشانیم. سوّماً ابعاد سیستم را به گونه ای پیاده سازی کنیم که منبع نویز را تاحد ممکن تضعیف کرده باشیم و این از جمله نکات ظریفی است که یک طراح منبع تغذیه سوئیچینگ باید به آن دقت کند.
۱٫۶٫۱روشهای کاهش تداخل امواج الکترومغناطیس در منبع ایجاد این امواج
در این قسمت به انواع راه کارها را برای کاهش پدیده انتشار و تداخل امواج الکترومغناطیسی اشاره شده است.افزودن خازن و سلف برای کاهش گرادیان جریان و ولتاژ بیشترین میزان تولید امواج الکترومغناطیسی در فضای اطراف ترانزیستور اصلی است که عمل کلیدزنی را انجام می دهد. پس می توان گفت که این ترانزیستور بعنوان یک منبع تولید نویز مخابراتی پرقدرت، عمل می کند. انتقال ناگهانی جریان و ولتاژ در مدار، نوساناتی را بصورت تحریک ضربه ای در مدل پارازیتی خازن و همچنین سلف ترانسفورماتور و سیم پیچ ها ایجاد می کند. برای اینکه میزان تداخل امواج الکترومغناطیسی را در درون منبع تولید نویز کاهش دهیم، باید توجه داشت که چقدر می توانیم سرعت تغییرات جریان را در منبع مولد نویز کاهش دهیم. در صورتی که امکان کاهش تغییرات جریان برای ما وجود داشته باشد یک سلف کوچک را برای محدود نمودن تغییرات جریان di/dt در مدار بصورت سری و یک خازن را بصورت موازی برای کاهش دادن تغییرات ولتاژ dv/dt قرار می دهیم. این روش مناسبترین و مؤثر ترین روش کاهش مقدار توان نویز در المان کلیدزنی است.
منبع مهم دیگر تولید نویز و تداخل امواج الکترومغناطیسی، زمان افت سریع جریان در دیودهایی که بایاس معکوس می شوند، است. معمولاً یک دیود با زمان بازیابی معکوس سریع، دارای زمان بازیابی حدود ۱۰ نانو ثانیه می باشد. پس این دیود می تواند، مقداری از نوسانات را (در صورتی که در رنج فرکانسی بالا در حال کار باشد) به فضا منتشر کند. زمان افت را در دیودها به این صورت می توان کنترل کرد که از دیودهایی که دارای تکنولوژی ساخت Soft recovery هستند، استفاده شود، یا در صورتی که از دیودهای با زمان بازیابی سریع استفاده می کنیم، یک خازن کوچک سرامیکی را مستقیماً با دیود موازی کنیم. همچنین می توان یک سلفRF را با ترانزیستوری که عملکرد کلیدزنی را انجام می دهد یا دیود سری کنیم تا با تغییرات ناگهانی جریان مخالفت کند و زمان خاموش شدن دیود را افزایش دهد و همچنین لبه تیز جریان که ناشی از کلیدزنی است را از بین ببرد. در صورتی که روش های فوق امکان پذیر نباشد، می بایست که با یک پرده محافظت کننده فلزی (شیلد)، المان کلیدزنی را بپوشانیم. تا از تشعشع امواج الکترومغناطیسی به فضای اطراف تا حد ممکن جلوگیری کنیم. معمولاً در عمل در اکثر منابع تغذیه سوئیچینگ با فیلتر کردن و استفاده از پوشش های فلزی تداخل امواج الکترومغناطیسی را کاهش می دهند.
نوع سیم کشی
اندازه و ابعاد فیزیکی یک منبع تغذیه سوئیچینگ در تولید امواج الکترومغناطیسی نقش مهمی را ایفا می کند. با کم کردن فاصله سیمهای رفت و برگشت در منابع تغذیه سوئیچینگ با بهره گرفتن از اثر القاء متقابل سیمها بر روی همدیگر میتوان نویز ناشی ازامواج الکترومغناطیسی اطراف سیمها را کاهش داد. همچنین نویز ناشی از ترانسفورماتور را با بهره گرفتن از پرده محافظ فلزی و نویزهای دیگر ناشی از سیم کشی را با بهره گرفتن از سیمهای با غلاف شیلد فلزی و سیم پیچ های بی فیلار تا حد امکان در عمل کاهش می دهند.
زمین کردن
یکی از روش های مهار کردن امواج الکترومغناطیسی مخرب، زمین کردن الکتریکی است. روش زمین کردن ساده ترین روش کاهش دادن نویز در منبع می باشد.
اما برای کم کردن هر چه بیشتر امواج الکترومغناطیسی و تداخل ناشی از آن باید به این نکته توجه شود که سیمهایی که برای اتصال زمین الکتریکی از آنها استفاده می شود از مقاومت الکتریکی خیلی کمی برخوردار باشند. تا حتی الامکان از افت ولتاژ روی مقاومت پارازیتی معادل سیم کاسته شده و نویز بطور کامل به زمین منتقل شود. روش زمین کردن الکتریکی برای کاهش دادن میزان نویز سیستمهایی که در فرکانسهای کم تا حد یک مگا هرتز کارمیکنند مناسب است. هر چقدر که فرکانس سیستم بالا رود، امپدانس سیمهای زمین هم بالا می رود و افت ولتاژ روی مقاومت پارازیتی سیمها، زیاد می شود و در نتیجه توان تداخل امواج الکترومغناطیسی نیز بیشتر می شود. سه پارامتر مهم را که در همه منابع تغذیه سوئیچینگ باید زمین شوند عبارتند از:
-۱ سیستم انتقال سیگنالهای با توان کم.
-۲ سیستم قدرت با نویز زیاد.
-۳ جعبه فلزی منبع تغذیه سوئیچینگ.
استفاده از پرده محافظ برای جلوگیری از تشعشع امواج الکترومغناطیسی
یکی از مسائل مهمی را که در طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ باید به آن توجه کرد تشعشع امواج الکترومغناطیسی ازقطعات به فضای اطراف است. این مسأله در طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ از اهمیت ویژه ای برخوردار است. حتی اگر به سیم کشی و زمین کردن اصولی توجه زیادی داشته باشیم ولی به تشعشع امواج الکترومغناطیسی از قطعات سیستم توجه نکنیم، خواهیم دید که هنوز نویز زیادی در فضای اطراف منبع تغذیه ای که با روش سوئیچینگ کار می کند منتشر میشود و این میزان نویز می تواند در سیستمهای مخابراتی و الکترونیکی که در مسافت نزدیک در حال کار هستند بصورت مخرب ایجاد تداخل امواج الکترومغناطیسی کند.
عمل کلیدزنی در رگولاتورهای با فرکانس زیاد می تواند نویز با هارمونیکهای پرقدرت در رنج فرکانسی VHF تولید کند. بسته های قطعات مدار نمی توانند از تشعشع امواج با فرکانس بالای الکترومغناطیسی جلوگیری نمایند و فرکانسهای رادیویی که در فضا براحتی منتشر می شوند، در باندهای رادیویی و تلویزیونی و حتی ماکروویو ایجاد تداخل مخرب می کنند. برای از بین بردن این مشکل باید اطراف قطعات را با پرده های فلزی محافظ که دارای زمین الکتریکی هستند و کاملاً آب بندی شده اند پوشاند. تا از تشعشع امواج الکترومغناطیسی آنها جلوگیری شود و حتی هیت سینکهای قطعات نیز بایستی که زمین الکتریکی شوند.
پرده فلزی
از بین بردن میدانهای الکتریکی خیلی ساده است. میدان فلزی را می توان با یک شیلد فلزی با بهره گرفتن از مکانیزم انعکاس و زمین کردن آن در خارج از محفظه شیلد شده از بین برد. اما میدانهای مغناطیسی که اطراف ترانسفورمرها ایجاد میشوند بسختی از بین می روند. اساسی ترین روش شیلد کردن میدانهای مغناطیسی، استفاده از شیلد مغناطیسی جذب کننده میباشد. افزودن خاصیت مغناطیسی به صفحه استیل سالم یکی از راه های زیاد کردن پرمابیلیته است و همچنین می توان از موادی مانند آلیاژ آهن و نیکل نیز به این منظور استفاده کرد. این روشها باعث می شود که میدانهای مغناطیسی اطراف سیستم تا حد زیادی کاهش یابد. استفاده از جعبه های فلزی برای از بین بردن نویز به خنک سازی سیستم نیز کمک زیادی میکند. اثر شیلد کردن سیستم توسط پردههای مشبک به ضلع l و قطر d و ضخامت c از رابطه (۱) بدست میآید.

1. 1. S=(20*Log(l*(c^2)/(d^3)))+(32/d)+38

که در آن باید d<λ<2π باشد و λ طول موج فرکانسی است که می خواهیم تشعشع آنرا محدود کنیم. مقدار S بر حسب دسیبل بیان می شود.
۱٫۶٫۲) اندازه گیری و استانداردهای معتبر درباره تداخل امواج الکترومغناطیسی
معمولاً میزان نویز را در خارج از جعبه های محافظ منابع تغذیه سوئیچینگ اندازه گیری می کنند. این اندازه گیری توسط یک دستگاه طیف نگار یا Spectrum Analyzer انجام می شود و می تواند اندازه هارمونیکهای نویز را که در فضا و در اطراف منبع تولید نویز دریافت می کند، به ما نشان دهد.
امروزه ارگانهای مختلف بین المللی دارای استاندارد¬های گوناگونی در محدودسازی نویز در اطراف منابع تغذیه سوئیچینگ هستند. عموماً طراحان منابع تغذیه سوئیچینگ با توجه به نوع کاربرد منابع تغذیه سوئیچینگی که آن را طراحی می کنند و نیز کشور مورد نظر که منابع تغذیه سوئیچینگ طراحی شده در آنها بکار گرفته می شود، از این استانداردها پیروی می کنند و طراحی خود را با توجه به این استانداردها انجام می دهند. از این گونه از استانداردها می توان در بریتانیای کبیر به BS800 و در ایالات متحدهآمریکا به FCC و در آلمان به VDE0871 و هچنین استاندارد مورد تأیید اکثر کشورها یعنی CISPR یاComité International Special des Perturbations Radioélectrique اشاره کرد. این استانداردها محدودیت¬هایی را برای هدایت نویز بین ورودی و خروجی منابع تغذیه که دارای عملکرد سوئیچینگ هستند تعیین می کنند. درجه بندی محور عمودی این نمودار، بر حسب DbµV می باشد. بنابراین DbµV60 در اصل همانmV1 است. اکثر استانداردهای بین المللی میزان ولتاژ نویز را در محدوده باند فرکانسهای رادیویی در ترمینالهای منابع تغذیه سوئیچینگ، در بالاتر از ۱۵۰KHz به کمتر از ۵۴DbµV + یا ۵۰۰µV محدود می کنند.
جهت کاهش تداخلات اللکترومغناطیس روشها و عملکردهای متفاوتی وجود دارد در این تحقیق علاوه بر روش های بالا سعی شده با ارائه توپولوژی جدید در سیستم محرک موتور آهنربای دائم شکل موج خروجی را تا حد ممکن به شکل موج سینوسی نزدیک نموده و با کاهش هارمونیک خروجی کل و استفاده از بازده بالای موتور آهنربای دائم به مدلی دست یابیم که تا حد زیادی تداخلات الکترومغناطیس در آن کاهش یافته و در سطح بالایی از استانداردها قرار دارد.
فصل دوم
اینورترهای چند سطحی
۲-۱)اینورترهای چندسطحی:
اینورترهایی که تاکنون مطرح شد را می‌توان بعنوان اینورترهای دو سطحی مطرح کرد.اگر بتوان بیش از دو سطح ولتاژ در خروجی ایجاد کرد، شکل موج ولتاژ خروجی را می توان به گونه ای شکل داد که شباهت آن به شکل موج سینوسی بیشتر باشد
در سال ۱۹۸۰ اینورترهای چندسطحی برای اولین ‌بار مطرح شد. ایده اولیه آن بکار بردن تعداد بیشتری کلید الکترونیک قدرت برای بوجود آوردن چندین پله ولتاژی در سمت ac بود که همانطور که قبلاً نیز صحبت شد این امر باعث می‌شد تا شکل موج بهتری را در خروجی داشته باشیم. همچنین رویکردی که توسط ایجاد این پله‌های ولتاژی بدست آمد بالا رفتن ولتاژ خروجی از ارتباط میان پله‌های مختلف که می‌توانست خود از هر منبع جداگانه‌ای تأمین گردد است و این مطلب نیز علاوه بر مطالب قبلی باعث شد تا این ایده به یک عملکرد مناسب در ساختار اینورترها منجر شود و مورد توجه روزافزون قرار گیرد.
صنعت دوسطحی برای اینورترهای ولتاژ از این امر ناشی می‌شد که ولتاژ هر سر خروجی در هر لحظه تنها می‌تواند دو مقدار را بپذیرد و در واقع کلیدهای اینورتر هر سر را به گذرگاه dc مثبت یا منفی وصل می‌کند. و در نتیجه مقادیر کمی از ولتاژ در حالت خط به خط و یا خط به نول می‌تواند وجود داشته باشد حال رویکردی که باعث می‌شد با چندین سطح مختلف را ایجاد نموده, و در نتیجه بتوانیم از آن سطوح ولتاژی برای رسیدن به اهدافمان استفاده کنیم, تنها از این مطلب ناشی می‌شد که, هر پله می‌تواند خود یک منبع تغذیه جداگانه داشته باشد یا اینکه می‌توان تقسیمات ولتاژی این سطح متفاوت را ایجاد کرد. شکل زیر بعنوان نشان‌دهنده این تقسیمات ولتاژی و در حقیقت مبین یک اینورتر چند سطحی پایه با بهره گرفتن از کلید قابل انتخاب در خروجی است.